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美国STI替代品半导体分立器件测试系统 188.00/台: 产品简介：美国STI替代品半导体分立器件测试系统 EN-2005B功率器件综合测试系统系统特征测试范围广（19总大类，27分类）升级扩展性强，通过选件可提升电压电流，和增加测试品种范围。支持电压电流阶梯升级至2000V，1250A 采用脉冲测试法，脉冲宽度为美军标规定300uS 被测器件引脚接触自动判断功能，遇到器件接触不良时系统自动停止测试，确保被测器件不受损坏真正的动态跨导测试。（主流的直流方法测动态跨导，其结果与器件实际偏差很大）系统故障在线判断修复能力，便于应急处理排除故障二极管极性自动判断功能，无需人工操作系统概述 EN-2005B功率器件综合测试系统，设备扩展性强，通过选件可以提高电压、电流和测试品质范围。在PC窗口提示下输入被测器件的测试条件点击即可完成测试任务。系统采用带有开尔文感应结构的测试插座，自动补偿由于系统内部及测试电缆长度引起的任何压降，保证测试结果准确可靠。面板显示装置可及时显示系统的各种工作状态和测试结果。前面板的小键盘方便了系统操作。通过小键盘，系统可以脱离主控计算机独立完成多种工作。系统提供与机械手、探针台、电脑的连接口，可以支持各种不同辅助设备的相互连接使用。应用领域院所、高校、半导体器件生产厂商、电源、变频器、逆变器、变流器、数控、电焊机、白色家电、新能源汽车、轨道机车检修等设备用途测试分析、器件选型、筛选检验、生产线自动批量测试等技术指标主极电压: 10mV-2000V 主极电流： 100nA-50A 扩展电流： 100A、500A、1000A、1300A 电压分辨率： 1mV 电流分辨率： 1nA 测试精度： 0.2%+2LSB 测试速度： 0.5mS/参数系统功耗： <150w 质量： 35KG 尺寸： 450x570x280mm 通信接口： 232 USB 工作温度： 25-40°C 测试范围测试范围 / 测试参数序号测试器件测试参数 01 二极管 DIODE IR；BVR ；VF 02 晶体管（NPN型/PNP型） ICBO；ICEO；ICER； ICES； ICEV；IEBO；BVCEO ；BVCBO； BVEBO；HFE；VCESAT；VBESAT；VBE(VBEON)；RE；VF 03 J型场效应管 J-FET IGSS；IDOFF；IDGO；BVDGO；BVGSS；VDSON，VGSON； IDSS；GFS；VGSOFF 04 MOS场效应管? MOS-FET IDSS；IDSV；IGSSF；? IGSSR；VGSF；VGSR；BVDSS； VGSTH；VDSON、VF(VSD) IDON；VGSON；RDSON；GFS 05 双向可控硅 TRIAC VD+；VD-；VT+ ； VT-；IGT；VGT ；IL+；IL-；IH+；IH- 06 可控硅 SCR IDRM；IRRM；IGKO；VDRM；VRRM；BVGKO；VTM； IGT；VGT；IL；IH 07 绝缘栅双极大功率晶体管 IGBT ICES；IGESF；IGESR；BVCES；VGETH；VCESAT；ICON； VGEON；VF；GFS 08 硅触发可控硅 STS IH+； IH-；VSW+ ； VSW-；VPK+ ； VPK-；VGSW+；VGSW- 09 达林顿阵列 DARLINTON ICBO； ICEO；ICER；ICES；ICEX；IEBO；BVCEO； BVCER；BVCEE；BVCES ；BVCBO；BVEBO；hFE ； VCESAT； VBESAT；VBEON 10 光电耦合 OPTO-COUPLER ICOFF、ICBO；IR；BVCEO；BVECO；BVCBO；BVEBO； CTR；HFE；VCESAT； VSAT；VF(Opto-Diode) 11 继电器 RELAY RCOIL；VOPER；VREL；RCONT；OPTIME； RELTIME 12 稳压、齐纳二极管 ZENER IR；BVZ；VF；ZZ 13 三端稳压器 REGULATOR Vout；Iin； 14 光电开关 OPTO-SWITCH ICOFF；VD；IGT；VON；ION ；IOFF 15 光电逻辑 OPTO-LOGIC IR；VF；VOH；VOL；IFON； IFOFF 16 金属氧化物压变电阻 MOV ID+?ID-；VN+；? VN-；VC+ ；VCLMP-；VVLMP+ ； 17 固态过压保护器 SSOVP ID+?ID-；VCLAMP+, VCLAMP-；VT+、VT-；IH+、 IH-；；IBO+ IBO-；VBO+? VBO-；VZ+? VZ- 18 压变电阻 VARISTOR ID+；? ID-；VC+?? ；VC- 19 双向触发二极管...; 西安谊邦电子科技有限公司
2020-04-21

日本岩崎替代品晶体管特性曲线图示仪 188.00/台: 产品简介：日本岩崎替代品晶体管特性曲线图示仪 EN-2005C 功率器件综合测试系统系统概述 EN-2005C是一款很具有代表性的新型半导体晶体管图示系统，本系统可自动生成功率器件的I-V曲线，也可根据客户的实际需求设置功能测试，直接读取数显结果。系统在失效分析，IQC来料检验及高校实验室等部门有广泛的应用。系统生成的曲线都使用ATE系统逐点建立，保证了数据的准确可靠。系统典型的测试时间是6 to 20ms,通常上百个数据点曲线只需要几秒钟时间便可以展现出来，数据捕获的曲线可导入EXCEL等格式进一步分析研究，是一款多功能的高端半导体测试设备。本系统使用方便，只需要通过USB或者232与电脑连接，通过电脑中友好的人机界面操作，即可完成测试。并可以实现测试数据以EXCEL和WORD的格式保存。系统提供过电保护功能，门极过电保护适配器提供了广泛的诊断测试。这些自我测试诊断被编成测试代码,以提供自我测试夹具,在任何时间都可以检测。对诊断设备状态和测试结果提供了可靠地保证。系统软件支持器件测试程序的生成是通过在一台运行系统为Windows或WindowsNT的PC机上USB接口程序实现的。该程序提供快速的器件测试程序生成，具有全屏显示和增强型编辑帮助。一种填空式编程方法向用户提供简明、直观的使用环境。操作人员只需在提示下，输入所选器件系列名称和测试类型，并选择所需测试的参数，而不必具有专业计算机编程语言知识。完成一个器件的测试程序编制只需几分钟的时间，非常快捷方便。概述 EN-2005C测试系统通过PC机对其内部功率源、测试施加条件、测试具体线路进行控制，达到对器件进行测试的目的。在一定的测试条件下，这些源与条件负载按照条件准确的连接，其中包含了大量的负载、转换功率源和所要求的外部测试线路。测试系统特点 IV曲线显示/局部放大程序保护电流/电压,以防损坏品种繁多的曲线可编程的数据点对应增加线性或对数可编程延迟时间可减少器件发热保存和重新导入入口程序保存和导入之前捕获图象曲线数据直接导入到EXCEL 曲线程序和数据自动存入EXCEL 程序保护电流/电压,以防损坏测试范围广（19总大类，27分类）系统规格及技术指标主极电压： 1mV-2000V 电压分辨率： 1mV 主极电流： 0.1nA-50A 扩展电流： 100A 电流分辨率： 0.1nA 测试精度： 0.2%+2LSB 测试速度： 0.5mS/参数工作温度： 25℃--40℃ 工作湿度： 45%--80% 贮存湿度： 10%--90% 工作电压： 200v--240v 电源频率： 47HZ--63HZ 通信接口： 232 USB 系统功耗： <150w 设备尺寸： 450mm×570mm×280mm 质量： 35KG 测试范围测试范围 / 测试参数序号测试器件测试参数 01 二极管 DIODE IR；BVR ；VF 02 晶体管（NPN型/PNP型） ICBO；ICEO；ICER； ICES； ICEV；IEBO；BVCEO ；BVCBO； BVEBO；HFE；VCESAT；VBESAT；VBE(VBEON)；RE；VF 03 J型场效应管 J-FET IGSS；IDOFF；IDGO；BVDGO；BVGSS；VDSON，VGSON； IDSS；GFS；VGSOFF 04 MOS场效应管? MOS-FET IDSS；IDSV；IGSSF；? IGSSR；VGSF；VGSR；BVDSS； VGSTH；VDSON、VF(VSD) IDON；VGSON；RDSON；GFS 05 双向可控硅 TRIAC VD+；VD-；VT+ ； VT-；IGT；VGT ；IL+；IL-；IH+；IH- 06 可控硅 SCR IDRM；IRRM；IGKO；VDRM；VRRM；BVGKO；VTM； IGT；VGT；IL；IH 07 绝缘栅双极大功率晶体管 IGBT ICES；IGESF；IGESR；BVCES；VGETH；VCESAT；ICON； VGEON；VF；GFS 08 硅触发可控硅 STS IH+； IH-；VSW+ ； VSW-；VPK+ ； VPK-；VGSW+；VGSW- 09 达林顿阵列 DARLINTON ICBO； ICEO；ICER；ICES；ICEX；IEBO；BVCEO； BVCER；BVCEE；BVCES ；BVCBO；BVEBO；hFE ； VCESAT； VBESAT；VBEON 10 光电耦合 OPTO-COUPLER ICOFF、ICBO；IR；BVCEO；BVECO；BVCBO；BVEBO； CTR；HFE；VCESAT； VSAT；VF(Opto-Diode) 11 继电器 RELAY RCOIL；VOPER；VREL；RCONT；OPTIME； RELTIME 12 稳压、齐纳二极管 ZENER IR；BVZ；VF；ZZ 13 三端稳压器 REGULATOR Vout；Iin； 14 光电开关 OPTO-SWITCH ICOFF；VD；IGT；VON；ION ；IOFF 15 光电逻辑 OPTO-LOGIC IR；VF；VOH；VOL；IFON； IFOFF 16 金属氧化物压变电阻 MOV ID+?ID-；VN+；? VN-；VC+ ；VCLMP-；VVLMP+ ； 17 固态过压保护器 SSOVP ID+?ID-；VCLAMP+, VCLAMP-；VT+、VT-；IH+、 IH-；；IBO+ IBO-；VBO+? VBO-；VZ+? VZ- 18 压变电阻 VARISTOR ID+；? ID-；VC+?? ；VC- 19 双向触发二极管...; 西安谊邦电子科技有限公司
2020-04-21

瑞士LEMSYS 替代品 IGBT动态参数测试仪 188.00/台: 产品简介：瑞士LEMSYS 替代品易恩IGBT动态参数测试仪 EN-2020A半导体器件动态参数测试系统系统概述基础规格 IGBT是广泛应用于现代中、大功率变换器中的主流半导体开关器件，其开关特性决定装置的开关损耗、功率密度、器件应力以及电磁兼容性，直接影响变换器的性能。因此准确测量功率开关元件的开关性能具有极其重要的实际意义。 EN-2020A半导体器件动态参数测试系统，该系统是针对IGBT器件的开关性特性及IGBT内部续流二极管的反向恢复特性而专门设计的一套全自动测试系统，适用于电流不超过1500A和集电极电压不超过3500V的IGBT器件开关时间测试以及正向电流不超过2000A的二极管反向恢复特性的测试。规格：1800×800×800（mm）质量：155Kg 环境温度：15～40℃ 相对湿度：小于80% 大气压力：86Kpa～ 106Kpa 电网电压：AC220V±10%无严重谐波电网频率：50Hz±1Hz 系统单元开通时间测试单元关断时间测试单元二极管反向恢复测试单元该系统通过电容充放电原理产生电流波形，测试时根据不同的测试条件，设定测试电压，再通过调节不同的电感值或选择不同的测试脉冲宽度来输出测试要求的电流值，测试的电压和电流波形同时被采集到示波器，并由示波器与工控机直接通讯，将采集数据传输给计算机，计算机经过处理计算后，将测试数据以表格形式显示并可进行编辑和打印。计算机控制单元 PLC控制单元自动恒温气动压力夹具该单元是设备的中心控制单元，设备有一部分的工作程序、工作时序、开关的动作状态，数据采集等均由计算机完成。采用研华工控机，具有抗电磁干扰能力强，排风量大等特点。在计算机中，装有美国国家仪器公司生产的数据采集卡1块，泰克公司的DPO3014型示波器1台。测试过程中，计算机与示波器通讯，控制示波器的工作状态，并将示波器的测试数据采集到计算机，计算机对数据进行处理与计算、并进行的显示与编辑。本测试台除了采用工控机控制外，还采用了欧姆龙系列的PLC对系统进行控制，PLC主要对设备的工作时序、开关动作等进行控制，并且与计算机进行通讯，完成了整个系统的自动控制功能；PLC不仅控制开关的动作，而且对系统中主要开关的工作状态进行实时监控，并与硬件进行互锁，实现了可靠的安全控制功能。该单元采用5000PA的空气压缩机供气，20个探针的接触矩阵，液压升降柱，自动升降门。可安全轻松的完成器件/模块的测试接触。参数/条件 IGBT开通特性测试 IGBT关断特性测试测试气动夹具测试参数开通延迟 tdon 10-1000±5%±10 Tj=25℃和125℃ 关断时间tdoff 10-1000±5%±10 Tj=25℃和125℃ 压力： 5000PA的空压机供气。控温范围： 25℃-200℃ 控温精度： ±1.0℃±1% 器件接触： 20个探针的接触矩阵上升时间 tr 10-1000±5%±10 Tj=25℃和125℃ 下降时间tf 10-1000±5%±10 Tj=25℃和125℃ 开通能量 Eon 10-1000±5%±10 Tj=25℃和125℃ 关断能量Eoff 10-1000±5%±10 Tj=25℃和125℃ 测试条件集电极电压Vce 50-3500V±5% 根据用户要求定制集电极电压Vce 50-3500V±5% 根据用户要求定制集电极电流Ice 50-1500V±5% 根据用户要求定制集电极电流Ice 50-1500V±5% 根据用户要求定制负载L 20-1000uH L负载 20-1000uH 栅极电压Vge ±15V±3%±0.2V 短路测试Sct 一次短路 / 脉宽10uS / 短路电流10KA...; 西安谊邦电子科技有限公司
2020-04-21

美国ITC 替代品大功率IGBT静态测试仪 188.00/台: 产品简介：美国ITC 替代品易恩大功率IGBT静态测试仪 EN-3020C IGBT静态参数测试系统系统概述 EN—3020C测试系统（以下简称系统）是西安易恩电气科技有限公司推出的IGBT静态测试系统，该系统符合国军标GJB128-86和国家标准GB/T 4587-94测试规范。系统适合工厂、研究所用做IGBT及其模块的筛选、检验、分析以及器件生产厂用做生产测试，是一款针对IGBT的各种静态参数而研制的智能测试系统。系统标准功率源为3500V/200A，电流可扩展至2000A。系统的自动化程度高，按照操作人员设定的程序自动工作，实现全自动化的智能测试，计算机记录测试结果，测试结果可转化为文本或 EXCEL 格式存储。测试方法灵活，可完美测试器件以及单个单元和多单元的模块测试。系统采用工控机，具有抗电磁干扰能力强，排风量大等特点系统安全稳定，PLC 对设备的工作状态进行全程实时监控并与硬件进行互锁。 EN-3020C测试系统中控制系统主要由计算机控制系统和PLC控制系统组成计算机控制系统计算机控制系统是该测试设备的中心控制单元，设备有一部分的工作程序、工作时序、开关的动作状态，数据采集等均由计算机完成。计算机采用研华工业控制机，具有抗电磁干扰能力强，排风量大等特点。计算机中，装有美国国家仪器公司生产的数据采集卡NI PCI6221卡2块，NI PCI6221是一块多功能的数据采集卡，具有三组数据端口，16/8个模拟量输入端口，两个模拟量输出口、两个定时器计数器。 PLC控制系统控制系统除工控机外，还采用了欧姆龙系列的PLC，PLC主要对设备的工作时序、开关动作等进行控制，并且与计算机进行通讯，完成了整个系统的自动控制功能；PLC不仅控制开关的动作，而且对系统中主要开关的工作状态进行实时监控，并与硬件进行互锁，实现了可靠的安全控制功能。系统特征针对IGBT的各种静态参数而研制的智能测试系统大功率（IV可扩展至4500A，6000V）自动化程度高（按照操作人员设定的程序自动工作）计算机记录测试结果，测试结果可转化文本或EXECL格式存储采用工控机，具有抗电磁干扰能力强，排风量大等特点测试方法灵活（可完美测试器件以及单个和多单元的模块测试）安全稳定（PLC对设备的工作状态进行全程实时监测并与硬件进行互锁）测试范围 EN-3020C系统是专为测试IGBT而设计。能够真实准确测试出IGBT的各种静态参数：其测试范围如下： 1）栅极-发射极漏电流测试 VGES、IGES 2）栅极-发射极阈值电压测试 Vge（th） 3）集电极-发射极电压测试测试 VCES、ICES 4）集电极-发射极饱和电压测试测试 Vge（sat）、IC 5）二极管压降测试测试 VF、IF 6）二极管反向可恢复直流电压测试 VR、IR 外形尺寸和电源要求尺寸：800×800×1800（mm）质量：210kg 环境温度：15~40℃ 工作电压：AC220V±10%无严重谐波电网频率：50Hz±1Hz 通信接口： USB 232 系统功耗： 380W 参数/条件参数/条件参数 ENJ 35200 IGBT ENJ 30200 IGBT 静态参数自动测试系统静态参数手动测试系统条件 ①栅极-发射极漏电流IGES IGES: 0.1-10uA±3%±0.1uA 集电极电压VCE: 0V 栅极电压 VGE: 20V ±3%±0.2V ②集电极-发射极电压BVCES 集电极电压VCES: 100-3500V±5%±10V（选配）集电极电流ICES: 0.1-30mA±5%±0.01mA 100-3500V±5%±10V 100-3000V±5%±10V 栅极电压 VGE: 0V ③集电极发射极饱和电压VCESAT VCESAT:0.1-10V 栅极电压 V G E : ±15V±2%±0.2V 集电极电流ICE: 10-200A±5%（选配） 10-200A±5% 10-200A±5% ④集电极-发射极截止电流ICES 集电极电流ICES: 0.1-30mA±5%±0.01mA 100-3500V±5% 100-3000V±5% 集电极电压VCE: 100-3500V±5%（选配）栅极电压V G E : 0V ⑤栅极-发射极阀值电压测试VGETH VGETH: 0.1-10V±3%±0.1V VGE=VCE 集电极电流ICE: 30mA±3% ⑥二极管压降测试VF VF: 0.1-5V±3%±0.01V 栅极电压VGE: 0V 电流 I F : 10-200A±5%（选配） 10-200A±5% 10-200A±5% 导通电流 IC: 10-200A±5%...; 西安谊邦电子科技有限公司
2020-04-21

日本科佩尔替代 IPM测试仪 188.00/台: 产品简介：ENI1220 IPM 测试系统日本科佩尔替代易恩IPM测试仪系统概述基础配置 IPM，即智能功率模块，是先进的混合集成功率器件。一般使用IGBT作为功率开关元件，内部集成电流传感器及驱动电路的集成结构。 IPM模块需要测试的特性参数很多，其中关键的测试参数为开关特性（时间特性）的测量。该系统在解决IPM的控制信号以及高速数据采集处理两个关键技术的条件下，是一套基于DSP及FPGA的高速实时测试系统。电压电流标配选配标配选配 1200V 1000V 200A 200A 2200V 400A 3300V 600A 4500V 1000A 6000V 2000A 配置/短路测试电压电流短路测试标配选配标配选配项目范围误差分辨率 1200V 2200V 200A 400A 100V～1200V ±3% 10V 3300V 600A 测试电流 10A～75A ±3% 1A 4500V 1000A 短路电流 100A～500A ±3% 1A 6000V 2000A 短路时间 1 uS～10uS 可调可调测试功能测试范围测试参数 IPM BVCES, BVRRM, BVSCES, ICES, IRRM, VCE(SAT), VEC, VFBR, VDSET, VDSET-HP, ID, UVt, UVr, OUVt, OUVr, VCIN(ON), VCIN(OFF), ICIN(ON), ICIN(OFF), IFO(H), IFO(L), VFO(SAT), Iin leak, VCIN, ICIN, OTc, TC-Out, td(OV), Udcout, OV, OVt, T_MEAS, V_MEAS IGBT ICES, BVCES, IGES, VF, VGEON, VTH, VTHS, ICE(SAT), VCE(SAT) DIODE VF-Temp, Temp, VF revision 参数 / 精度静态参数动态参数上桥IGBT/FRD漏电流测试(Ices-H) 上桥开关参数集电极电压Vce： 100～1200V，误差±3%,分辨率10V 上桥IGBT/FRD耐压测试(Bvce-H) 上桥驱动IC低端静态电流测试(IDH) 集电极电流Ice： 10～75A，误差±3%,分辨率1A 上桥驱动IC高端静态工作电流测试（Iqbs-U,V,W） VD=VBS=15V, 误差±3%,分辨率0.1V 上桥欠压保护监测电平（UVbsd-U V W） VIN=0～5V 误差±3%,分辨率0.1V 上桥欠压保护复位电平（UVbsr-U V W） ton-L : 10～500, 误差±3%,分辨率1 上桥驱动IC导通阈值电压测试（Vth（on）-UH VH WH） tc（on）-L :5～200ｎS, 误差±3%,分辨率1 toff-L: 50～500ｎS, 误差±3%,分辨率1 上桥驱动IC关断阈值电压测试（Vth（off）-UH VH WH） tc(off)-L: 5～200ｎS, 误差±3%,分辨率1 Trr-L :10～500ｎS, 误差±3%,分辨率1 上桥IGBT饱和电压测试（Vce(sat)-UH VH WH） Eon-L :0.1～10ｍＪ, 误差±3%,分辨率0.1mJ 上桥FRD正向压降测试（VF-(UH VH WH) Eoff-L： 0.1～10ｍＪ误差±3%,分辨率0.1mJ 下桥IGBT/FRD漏电流测试(Ices-L) 下桥开关参数集电极电压Vce： 100～1200V，误差±3%,分辨率10V 下桥驱动IC静态工作电流测试（IDL）故障输出电压测试（Vfoh Vfol）集电极电流Ice： 10～75A，误差±3%,分辨率1A 过流保护阈值电压测试（Vcin（ref））下桥欠压保护监测电平（UVdd） VD=VBS=15V, 误差±3%,分辨率0.1V 下桥欠压保护复位电平（UVdr） VIN=0～5V 误差±3%,分辨率0.1V 下桥驱动IC导通阈值电压（Vth（on）-UL VL WL） ton-L : 10～500, 误差±3%,分辨率1 tc（on）-L :5～200ｎS, 误差±3%,分辨率1 下桥驱动IC关断阈值电压（Vth（off）-UL VL WL） toff-L: 50～500ｎS, 误差±3%,分辨率1 tc(off)-L: 5～200ｎS, 误差±3%,分辨率1 下桥IGBT饱和电压测试（Vce(sat)-UL VL WL） Trr-L :10～500ｎS, 误差±3%,分辨率1 下桥FRD正向压降测试（VF-(UL VL WL) Eon-L :0.1～10ｍＪ, 误差±3%,分辨率0.1mJ...; 西安谊邦电子科技有限公司
2020-04-21

西安厂商直供雪崩耐量测试仪 188.00/台: 产品简介：西安厂商直供雪崩耐量测试仪 ENX2020 雪崩耐量测试系统概述向半导体的接合部施加较大的反向衰减偏压时，电场衰减电流的流动会引起雪崩衰减，此时元件可吸收的能量称为雪崩耐量，表示施加电压时的抗击穿性。对于那些在元件两端产生较大尖峰电压的应用场合，就要考虑器件的雪崩能量，电压尖峰所集中的能量主要由电感和电流所决定，因此对于反激的应用场合，电路关断时会产生较大的电压尖峰。通常的情况下，功率器件都会降额，从而留有足够的电压余量，但是一些电源在输出短路时，初级会产生较大的电流，加上初级电感，器件就会有雪崩损坏的可能，因此在这样的应用条件下，就要考虑器件的雪崩能量。另外，由于一些电机的负载是感性负载，而启动和堵转过程中会产生极高的冲击电流，因此也要考虑器件的雪崩能量。 ENX2020雪崩耐量测试仪是本公司研发设计的测试IGBT、MOSFET、二极管雪崩耐量的专业测试设备，能够准确快速的测试出IGBT、MOSFET、、二极管的雪崩耐量。西安易恩电气ENX2020 雪崩耐量测试系统，该设备包括：可控直流电源、可选电感、电流传感器、电压传感器、雪崩保护电压、IGBT、MOSFET、二极管等功率型器件、IGBT、MOSFET、二极管功率型器件保护电路、计算机控制系统、雪崩电压采集系统、雪崩电流采集系统、测试夹具、测试标准适配器、外接测试端口（根据客户需求）等多个部分。规格/环境要求 ?电压频率：50Hz±1Hz ?环境温度：15～40℃ ?工作湿度：温度不高于+30℃时，相对湿度5%-80%。温度+30℃到+50℃时相对湿度5%-45%，无冷凝。 ?大气压力： 86Kpa～106Kpa ?海拔高度：不超过3000米。 ?尺寸：800x800x1800mm ?质量：210KG ?工作电压：AC220V±10%无严重谐波 ?系统功耗：320W ?通信接口：USB 232 技术指标配置测试范围测试参数条件范围电压 1000V IGBTs 绝缘栅双极型晶体管 EAS/单脉冲雪崩能量 VCE 20V-4500V 20-100V±3%±1V 100-1000V±3%±5V 1000-4500V±3%±10V 电流 200A MOSFETs MOS场效应管 EA重复脉冲雪崩能量 Ic 1mA-200A 1mA-100mA±3%±0.1mA 100mA-2A±3%±5mA 2A-200A±3%±50mA DIODEs 二极管 IAS/单脉冲雪崩电流 Ea 1J-2000J 1J-100J±3%±1J 100J-500J±3%±5J 500J-2000J±3%±10J PAS/单脉冲雪崩功率 IC检测 50mV/A（取决于传感器）感性负载 10mH、20mH、40mH、80mH、100mH...; 西安谊邦电子科技有限公司
2020-04-21

日本JUNO 替代品热阻测试仪 188.00/台: 产品简介：日本JUNO 替代品易恩热阻测试仪 ENR0620 热阻测试系统系统概述近年来由于电子产业的蓬勃发展，电子组件的发展趋势朝向高功能、高复杂性、大量生产及低成本的方向。组件的发热密度提升，伴随产生的发热问题也越来越严重，而产生的直接结果就是产品可靠度降低，因而热管理（thermalmanagement）相关技术的发展也越来越重要。电子组件热管理技术中常用也是重要的考量标准之一就是热阻（thermal resistance）西安易恩电气ENR0620 热阻测试系统，本系统测试原理符合 JEDEC51-1 定义的动态及静态测试方法）运用实时采样静态测试方法（Static Method），广泛用于测试各类 IC（包括二极管、三极管、MOSFET、IGBT、SOC、SIP、MEMS 等）、大功率 LED、导热材料、散热器、热管等的热阻、热容及导热系数、接触热阻等热特性。测试功能测试器件测试功能 IGBT 瞬态阻抗(Thermal Impedance) 从开始加热到结温达到稳定这一过程中的瞬态阻抗数据。 MOSFET 二极管稳态热阻(Thermal Resistance) 包括：Rja,Rjb,Rjc,Rjl, 当器件在给一定的工作电流后。热量不断向外扩散，达到了热平衡，得到的结果是稳态热阻值。在没有达到热平衡之前测试到的是热阻抗。三极管可控硅线形调压器装片质量的分析主要测试器件的粘接处的热阻抗值，如果有粘接层有气孔，那么传热就要受阻，这样将导致芯片的温度上升，因此这个功能够衡量粘接工艺的稳定性。 LED MESFET IC 可以得到用不同占空比方波测试时的阻抗与热阻值。内部封装结构与其散热能力的相关性分析多晶片器件的测试 SOA Test 浪涌测试配置 / 系统单元配置组成单元项目配置主机平台软件功率 2A/10V 采样单元测量控制软件测试延迟时间（启动时间） 1us 数控单元结果分析软件采样率 1us 功率驱动单元建模软件测试通道数 2（大 8 个）测试通道1-8个功率放大器提高驱动能力10~100 倍扩展选件电性规格系统特征加热电流测量精度低电流测量 02A 系统: ±1mA 10A 系统: ±5mA 20A 系统: (±10mA) ●测试启动时间仅为 1 s，几分钟之内就可以得到器件的全面热特性； ●先进的静态实时测量方法，采样间隔快可达 1 s，采样点高达 65000 个，有效地保证了数据的准确性和完备性；高电流测量 02A 系统: ±4mA 10A 系统: ±20mA 20A 系统: (±40mA) ●市场上高的灵敏度 FoM=10000 W/℃，很高的灵敏度 SNR>4000，结温测试精度高达 0.01℃；加热电压测量精度 ±0.25% ， 0~50V 热电偶测量精度( T 型) 典型 ±0.1°C , 大±0.3°C ●强大的测试软件和数据分析软件保证了后期扩展功能的提升。交流电压 220VAC，5A，50/60Hz 电压（标配）50V 电流（标配）20A （选配）200A,400A,800A,1000A 节温感应电流 1mA, 5mA, 10mA, 20mA, 50mA(标配) 测试原理...; 西安谊邦电子科技有限公司
2020-04-21

西安厂商直供大功率浪涌测试仪 188.00/台: 产品简介：西安厂商直供大功率浪涌测试仪 ENL3010 浪涌测试系统系统概述 ENL3010 浪涌测试系统，设备可输出17.7mS、80kA的电流，对被测器件进行浪涌电流试验；浪涌电流测试系统西安易恩电气 ENL3010 浪涌测试系统，该测试台通过电容充放电原理产生电流波形，根据不同的测试条件，设定好各试验参数，再通过调节不同的电感值（手动调节）来改变不同的电流宽度来输出测试要求的电流值，测试的电压和电流波形同时被采集到示波器和相关的控制电路，反馈给PLC,并由HMI显示测试结果； PLC控制系统本系统采用PLC对整个系统进行控制，PLC主要对设备的工作时序、开关动作等进行控制，并且对测试数据进行采集且与HMI（人机界面）进行通讯，由HMI对测试结果进行显示，完成了整个系统的自动控制功能； PLC不仅控制开关的动作，而且对系统中主要开关的工作状态进行实时监控，并与硬件进行互锁，实现了可靠的安全控制功能。 HMI（人机界面）控制系统 HMI对以下试验参数进行设定：试验次数重复时间漏电流设定电容电压设定电容选择脉宽选择 VD/VR选择，设定完毕后可在测试界面中选择并调用参数 HMI对以下试验参数进行显示：浪涌电流阻断电压阻断漏电流电容电压脉冲次数规格/环境环境温度： 15～40℃ 相对湿度：小于60% 大气压力： 86Kpa～ 106Kpa 电网电压： AC220V±10%无严重谐波电网频率： 50Hz±1Hz 功能指标技术指标测试参数电流能力 17.7mS 80KA 浪涌电流阻断电压脉宽 10ms 15.3ms 17.7ms 阻断漏电流电容电压...; 西安谊邦电子科技有限公司
2020-04-21

西安厂商直供功率循环测试 188.00/台: 产品简介：西安厂商直供功率循环测试 ENG1220 IGBT功率循环测试系统概述易恩电气ENG1220 IGBT功率循环测试系统测试方法符合GB/T29332-2012/IEC 60747-9:2007及GB4023-83等相关标准。 IGBT功率循环测试设备，是IGBT测试的重要检测设备，该设备具有如下特点： 1.该测试系统是一套动态综合的测试系统，测试参数多，设备测试数据精度高。 2.该测试系统是一套大电流测试设备，设备的电气性能要求高。 3.该测试系统具有过流、过热、水压不足等保护功能。具有连续工作的特点。 4.该系统的测试程序由计算机控制，测试可按测试员设定的程序进行自动测试。 5.该测试系统采用内控和外控两种方式。便于工作人员操作。 6.该系统采用计算机记录测试结果，并可将测试结果转化为EXCEL文件进行处理。 7.该测试系统是IGBT模块成品可靠性检验测试中不可缺少的专用测试设备。该套测试设备主要由以下几个单元组成：热敏电流及单元主电流发生单元温度检测单元热敏电压/稳态热阻测试单元安全及保护单元计算机控制单元控制系统计算机控制系统是该设备的中心控制单元，设备的所有工作程序，工作时序，开关的动作状态，数据的采集等均由计算机完成。计算机采用的是研华工业控制机，机箱为610H型，具有抗电磁干扰能力强，排风量大等特点。在计算机中，安装有美国国家仪器公司生产的数据采集卡NI6221：1块。 NI PCI6221是一块多功能的数据采集卡，具有三组数据端口，8个模拟量输入端口，两个模拟量输出口、两个定时器计数器。 PLC控制系统 PLC控制系统是该设备的安全控制单元，设备的所有控制电源、主电源、故障诊断等均由PLC控制。技术条件环境要求： A. 环境温度：8—35℃ B. 相对湿度：小于70%，一般应在相对湿度小于75%室内清洁环境条件下使用。 C. 大气压力：86Kpa—106Kpa D. 电网电压：AC380V±10%（三相四线制、安全接地线） E．电网频率：50Hz±1Hz F．电源功率：20KW G．供电电网功率因数：＞0.9 H．压缩空气：大于0.4Mpa（压缩空气宜进行前端去湿处理，以保证设备内气动器件的正常和可靠运行） I．冷却水要求： ● 进水温度室温±3℃ ● 压力为0.1～0.3Mpa； ● 流量：60L/min； ●水质：透明、不浑浊、无沉淀，应在供水管道中加装过滤器以排除大于0.38mm的污粒，视觉干净；主要技术指标： 1 加热电流：直流50-500A 显示精度0.1 A±3%； 2 加热时间：20-60S，冷却时间：20-60S； 3 散热要求：1分钟内完成器件加热到结温降温到40℃的一个循环； 4 热敏测试单元：热敏电流：50mA-999 mA 分辨率0.1 mA精度±3%； 1A-10A分辨率0.1A精度0.1A±3%；热敏电压：1V-10V分辨率1mV精度±2% 5 热阻单元功率计算：饱和压降 0.3-5V分辨率0.01V精度±2% 导通电流分辨率0.1 A精度±3% 温度采集：温度采集单元分辨率0.1℃精度±0.1℃ 热阻测试器件的数量为1只。 Vce，Ic，热敏电压，壳温各采一路。 6循环次数：1—20000次 7按时间控制时，显示每只器件的壳温，采集壳温的位置依据被侧器件的相应标准规定，需方将测温孔备好。 8按结温控制时，显示一只器件的结温，6只器件壳温。 9被测器件：6只（二单元串联结构）或1只6单元IGBT桥模块，IGBT桥模块按三组循环加热、占空比30%的工作方式进行设计和试验； 10计算机显示器件壳温、试验电流、试验次数、并可记录测试数据，测试记录表格可转为EXCEL文件。 11在脱机状态时，面板显示6个工位的壳温，试验电流、试验次数、加热时间、冷却时间。 12水路的回水采用开放式输出，冷却水路由甲方提供。 13电源：采用全波整流的直流电源，电流大小通过调压器手动调节。 13.1被测器件为二单元串联结构时，采用6只器件串联试验； 13.2 被测器件为六单元全桥模块时，负载为一只模块。 13.3 电源共一组，输出电流50-500A。 14可测试器件稳态热阻Rth（J-C） 15被测器件底板不带电。 16设备采用水冷散热，冷却水由需方提供。功能概述测试范围该套测试设备主要可测试以下参数： 1.热敏电压测试：V f 2.主电流测试：Ic 3.集电极电压测试：VCE 4.阈值电压测试：VGE（th） 5.温度参数测试：T1、T2 6.稳态电阻测试：Rth...; 西安谊邦电子科技有限公司
2020-04-21

高温阻断试验台 188.00/台: 产品简介：高温阻断试验台系统概述交流阻断（或反偏）耐久性试验是在一定温度下，对半导体器件施加阻断（或反偏）电压，按照规定的时间，从而对器件进行质量检验和耐久性评估的一种主要试验方法。一般情况下，此项试验是对器件在结温（Tjm ℃）和规定的交流阻断电压或反向偏置电压的两应力组合下，进行规定时间的试验，并根据抽样理论和失效判定依据，确认是否通过，同时获取相关试验数据。该系统符合MIL-STD-750D METHOD-1038.3、GJB128、 JEDEC标准试验要求。可供半导体器件配以适当的温度可控装置，作交流阻断（或反偏）耐久性/ 筛选试验。能满足IGBT进行高温反偏耐久性试验、高温漏电流测试（HTIR）和老炼筛选。系统组成漏电流保护回路在每一试品试验回路中都配置有0.1A的保险丝，当试品在试验期内发生劣化或突然击穿或转折，保险丝将熔断，设备面板上的相应工位的氖灯点亮示警，同时蜂鸣器报警提示。试验电压保护回路试验电压由衰减板衰减取样后反馈到控制单元，通过峰保器输出与电压设定值比较，当试验电压高于电压保护设定值时，过压报警器响，同时保护继电器动作切断高压输出。高压回路由电源开关、控制继电器、自藕调压器、高压变压器、波形变换电路组成，产生规定的试验电压并通过组合高压线排，接入试品工位。电特性参数测试回路试验电压由电压取样回路，经采集、保持电路送到设备的数字电压表显示；试品漏电流对每一试品漏电流独立采样，通过设备上的波段开关分别进行转换，传送到数字电流表显示。技术指标试验电压 VDRM.VRRM/VRRM 300V ~ 4000V 连续可调， 50HZ工频试验电流 IDRM.IRRM/IRRM 1.0 mA ~200.0mA 试验温度室温～150℃；温度均匀性125℃±3℃；温度波动度±0.5℃ 试验工位 10工位试验容量 80×16=1280位加电方式...; 西安谊邦电子科技有限公司
2020-04-21

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