科源牌硅碳负*CVD气相沉积高温包覆回转炉

更新时间：2022-07-23 信息编号：1683043

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硅炭负*电极材料制备工艺,氧化亚硅高温碳包覆回转炉,氧化亚硅CVD气相沉积碳包覆,

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科源牌硅碳负*CVD气相沉积高温包覆回转炉

咸阳陶瓷研究设计院硅碳负*CVD气相沉积高温包覆回转炉一、使用范围： KY-R-LQ600-6m 连续外热式气氛保护回转炉适用于锂电池正负*材料：磷酸铁锂、锰酸锂、钴酸锂、三元、石墨负*等煅烧。稀土材料：如稀土抛光粉氧化铈等的煅烧。活性碳的高温合成制备。催化剂材料、磁性材料、粉末冶金、有色金属材料及高岭土非金属矿物材料的粉体或颗粒的干燥、煅烧、高温反应、热处理、碳化。二、设备参数：生产方式：连续式生产；炉管材质：根据使用需求可选则304、310S、316L、1Cr25Ni20Si2、Inconel-600、钛材等；较高使用温度：1000℃；控温方式：PID控制，移相触发；温度控制精度：±1℃；加热方式：电；额定电压：380V/50HZ；工艺定制）；转速：2～5转/分钟，可调；炉内压力：0.5MPa；炉体倾角：0～5度；炉内氧含量：10PPM???? 炉表温度：≤50℃（室温20℃时）